電子物質科学コース 山本将也さん（根尾研究室）が令和四年度電気情報通信学会電子デバイス研究会にて論文発表奨励賞を受賞しました

電子物質科学コース 山本将也さん（根尾研究室）が令和四年度電気情報通信学会電子デバイス研究会にて電子情報通信学会 エレクトロニクスソサエティ電子デバイス（ED）研究専門委員会より論文発表奨励賞を受賞しました。

論文題目：h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型 平面電子放出デバイスへの応用